半導體集成度逐漸提升，ArF、EUV光刻膠成未來發展趨勢

        高端光刻膠市場需求成長性顯著，國產化程度較低。半導體光刻膠隨著市場對半導體產品小型化、功能多樣化的要求，而不斷通過縮短曝光波長提高極限分辨率，從而達到集成電路更高密度的集積。隨著 IC 集成度的提高，世界集成電路的制程工藝水平按已由微米級、亞微米級、深亞微米級進入到納米級階段。為適應集成電路線寬不斷縮小的要求，光刻機的波長由紫外寬譜向ｇ線(436nm)→ｉ線(365nm) →KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2、EUV（157nm）的方向轉移。

          ArF、EUV光刻膠疊加分辨率提升技術、多次圖形技術不斷推進工藝節點進步， 為光刻膠技術未來發展主要趨勢。對應不同的光刻技術需要配套相應分辨率的光刻膠，目前半導體市場上主要使用的光刻膠包括g線、i線、KrF、ArF四類光刻膠。同時伴隨著下游晶圓代工廠商不斷布局先進工藝節點，由于正性（濕）ArF光刻膠結合分辨率增強技術可用于32nm/28nm工藝，采用多次圖形技術，可以實現20 /14nm工藝（線寬均勻度（LWR）<2.5nm）,而EUV光刻膠搭配EUV光刻機成為下一代光刻技術的未來主流選擇，預計未來7nm、3nm等先進節點將應用EUV光刻膠。因此未來伴隨著工藝的進步對于ArF、EUV類型 的光刻膠需求將會進一步提升。

           短期大基金一期投資晶圓代工企業進入收效期，國內微電子化學產品伴隨晶圓代工產能提升需求旺盛。在《國家集成電路產業發展推動綱要》的推動下，2014年國家集成電路產業投資基金（簡稱“大基金”）正式成立，2015年大基金全產業鏈投資扶持我國集成電路產業，投資領域資金占比以半導體晶圓代工企業為主，國內晶圓代工企業建廠投資額快速提升。同時在降低關稅、低人力成本，靠近旺盛大陸客戶的需求下，外資企業也不斷向大陸建設晶圓代工廠，推動我國晶圓代工的上游半導體設備、微電子化學品需求快速提升。

         行業內晶圓廠從動工到量產通常需要1年半到2年時間，設備采購在投產前1年左右開始，且大部分采購在投產前后一年完成。而微電子化學品則不同，光刻膠等微電子化學品直接用于實際生產過程中，同時由于采購相對迅速，因此相比于半導體設備市場空間打開相對滯后一年，預計2019-2020年為國內微電子化學品快速成長的高峰期。

         長期政策推動力持續，帶動我國晶圓代工產業蓬勃發展。根據《中國制造2025重點領域技術創新綠皮書》預計，中國集成電路的本地產值在2020年預計達到 851 億美元，滿足國內49%的市場需求；2030年預計達到1,837億美元，滿足國內75% 的市場需求，預計年復合增長率約為6.6%。同時參考日韓之間半導體核心原材料的貿易沖突，微電子化學品行業作為集成電路制造的重要配套行業，自主可控戰略意義明顯，也將隨著集成電路制造國產化的政策和資金支持，獲得新的發展機遇。國內內資晶圓代工廠商也將不斷提升對于國產光刻膠的接受程度，給予國內優質的光刻膠廠商快速成長的機會。

      旺盛需求下是國內長期依賴進口的行業現狀，根據前瞻產業研究院數據，全球區域市場來看，中國半導體光刻膠市場規模全球占比最大，高達32 %，市場需求旺盛。但是半導體光刻膠相比PCB光刻膠在分辨率，對比度、敏感度、粘滯性/粘附性、抗蝕方面均相比PCB光刻膠要求更高，目前我國已經在PCB重要類別濕膜及阻焊油墨進行了相當比例的國產化進度，但由于半導體光刻膠技術壁壘較高，目前國內僅在適用于6英寸的g線/i線光刻膠領具備一定國產替代能力，適用于8英寸硅片的KrF光刻膠，12英寸硅片的ArF光刻膠幾乎依靠進口。

      半導體光刻膠的供應廠商主要集中在美國和日本。主要企業有日本的TOK、日本JSR、富士膠片、信越化學、住友化學，美國陶氏化學等。

根據新材料在線數據顯示，目前全球光刻膠前二廠商（日本合成橡膠和東京日化）市占率可達49%，其中以日本合成橡膠（JSR株式會社）市占率水平最高，高達28%。JSR半導體材料品類多樣，包括光刻材料、CMP研磨材料和封裝材料，2018年半導體材料實現營收753.8億日元（2019年業務分類發生口徑變化，未細拆出半導體材料營收情況）。

       光刻膠具備較高的技術壁壘和客戶壁壘，因此行業整體集中度情況較高，前五市占率總和高達77%。中國的光刻膠供應廠商主要有北京科華微電子、蘇州瑞紅，南大光電等，國內相關廠商技術追趕迅速，預計伴隨KrF光刻膠、ArF光刻膠研發完畢順利完成客戶驗證后， 國產光刻膠將進入國產替代的高峰期。

      晶瑞股份是國內知名的生產銷售微電子業用超純化學材料和其他精細化工產品的上市企業，子公司蘇州瑞紅承擔并完成了國家02重大專項“i線光刻膠產品開發及產業化”項目，i線光刻膠已向中芯國際、揚杰科技、福順微電子等客戶供貨，KrF（248nm深紫外）光刻膠完成中試，產品分辨率達到了0.25~0.13μm的技術要求，建成了中試示范線。公司在i線光刻機規模優勢以及技術優勢得到認可，產能利用率較高且相對穩定，2019年8月公司獲批發行人民幣1.85億元可轉債，其中1.39億元用于新建年產8.7萬噸光電顯示、半導體用新材料項目，有望進一步提升公司半導體相關材料產能。

     大光電積極布局高端ArF光刻膠技術，其自主創新和產業化的193nm 光刻膠項目已獲得國家02專項“193nm 光刻膠及配套材料關鍵技術研究項目”和“ArF光刻膠開發和產業化項目”的正式立項，先后共獲得中央財政補貼1.51億元，地方配套0.50億元。目前“193nm 光刻膠及配套材料關鍵技術研究項目”的研發工作已經完成，正在等待驗收。同時南大光電設立光刻膠事業部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進“ ArF光刻膠開發和產業化項目”的落地實施。預計2019年底在寧波建成一條光刻膠生產線，項目產業化基地建設工作進展順利。